掺氟钨酸铅晶体的电子结构研究
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O482

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Electronic structure of the fluorine doped PbWO4 crystal
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    用密度泛函的方法计算了掺氟钨酸铅晶体(F^-:PbWO4)的电子结构.结果表明,杂质F^-离子的掺入使得部分O的2p态和W的5d态分裂并进入到禁带中,使得禁带宽度变窄.F的2p态距离价带顶6.0eV左右,因而不会影响晶体的蓝发光.F^-离子替位氧离子O^2-可以部分地补偿由于铅空位VPb所造成的局域电荷失衡,阻止铅空位VPb抓住空穴形成复合色心.因此,可以减弱420nm吸收带,有效地增加光产额.

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陶琨 张启仁 刘廷禹 张飞武.掺氟钨酸铅晶体的电子结构研究[J].上海理工大学学报,2004,(6):512-514.

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  • 最后修改日期:2004-06-27
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