对不同掺杂浓度La~(3 )∶PbWO_4晶体电子结构的研究

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对不同掺杂浓度La~(3 )∶PbWO_4晶体电子结构的研究
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CSTR:
                        [cstr]
                    
作者:
                        
                        
                    
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中图分类号:O731
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采用缺陷化学方法讨论了PbWO4晶体中不同浓度掺La3 时可能存在的缺陷团簇模型.通过GULP计算软件模拟计算了缺陷团簇中La3 离子最可能的替位位置,并通过基于密度泛函理论的离散变分DV Xα方法计算得到相应的La3 ∶PWO4晶体的电子态密度.计算得到低浓度掺杂时晶体的禁带宽度变宽,高浓度掺杂时晶体的禁带宽度变窄.实验测得低浓度掺La3 时晶体的吸收边紫移,高浓度掺La3 时晶体的吸收边红移,计算结果与实验结果相符.计算表明,La3 ∶PWO4晶体中掺La3 可以有效地抑制420 nm吸收.

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孙媛媛,张启仁,刘廷禹,易志军.对不同掺杂浓度La~(3 )∶PbWO_4晶体电子结构的研究[J].上海理工大学学报,2006,(5).

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