对不同掺杂浓度La3+:PbWO4晶体电子结构的研究

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对不同掺杂浓度La3+:PbWO4晶体电子结构的研究
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CSTR:
                        [cstr]
                    
作者:
                        
                        
                    
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中图分类号:O482
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Study on the electronic structures of La3+:PbWO4 with different doping levels

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摘要:

采用缺陷化学方法讨论了PbWO4晶体中不同浓度掺La^3＋时可能存在的缺陷团簇模型，通过GULP计算软件模拟计算了缺陷团簇中La^3＋离子最可能的替位位置，并通过基于密度泛函理论的离散变分DV-Xa方法计算得到相应的La3^＋：PWO4晶体的电子态密度．计算得到低浓度掺杂时晶体的禁带宽度变宽，高浓度掺杂时晶体的禁带宽度变窄．实验测得低浓度掺La^3＋时晶体的吸收边紫移，高浓度掺La^3＋时晶体的吸收边红移，计算结果与实验结果相符、计算表明，La^3＋：PWO4晶体中掺La^3＋可以有效地抑制420nm吸收.

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孙媛媛,张启仁,刘廷禹,易志军.对不同掺杂浓度La3+:PbWO4晶体电子结构的研究[J].上海理工大学学报,2006,(5):455-459.

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收稿日期:2005-08-17
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