A位La和Dy替代Bi2O3-ZnO-Nb2O5陶瓷结构及介电性能的研究
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TM28

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国家重点基础研究发展计划(973计划)


Structure and dielectric properties of La-doped and Dy-doped Bi2O3-ZnO-Nb2O5 based ceramics
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    研究了A位La,Dy替代对BZN基陶瓷结构和介电性能的影响.在替代量x≤0.2的范围内,La替代样品均保持单一的立方焦绿石结构;在x<0.15的范围内,Dy替代样品为单一的立方焦绿石相;当x=0.2时,结构中出现杂相.随着La、Dy替代量的增加,陶瓷样品的晶粒尺寸、密度和介电性能发生有规律的变化;低温介电弛豫峰的峰形逐渐宽化;La替代样品的峰值温度向低温方向移动,Dy替代样品的峰值温度向低温方向移动.与x为0.1、0.15和0.2相对应的La替代样品弛豫峰峰值温度tm分别为-95℃,-99℃,-104℃,Dy替代样品弛豫峰峰值温度tm分别为-96℃,-89℃,-85℃.

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引用本文

刘璞凌,丁士华,杨同青,沈波,姚熹. A位La和Dy替代Bi2O3-ZnO-Nb2O5陶瓷结构及介电性能的研究[J].上海理工大学学报,2006,(6):531-534.

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  • 收稿日期:2006-02-17
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