掺杂型锰氧化物La1-xSrxMnO3的电子结构研究
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O469 O641.121

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上海市教委资助项目


Effects of lattice on electronic structures of La1-xSrxMnO3
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    采用局域自旋密度泛函近似LSDA(local spin-density approximation)对La_(1-x)Sr_xMnO_3超晶格的电子结构进行了计算.计算结果与众多实验数据相一致.在完整的立方晶格结构中,计算发现,已经能够得到锰氧化物特有的半金属特性,这说明Jahn-Teller畸变对此类材料半金属性的形成不起主导作用.当考虑了晶格畸变后,发现晶体的电子结构对晶体c轴与a轴的长度比(c/a)的变化十分敏感,导电性发生了金属(c/a<1)—半金属(c/a=1)—绝缘体(c/a>1)的转变.

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引用本文

耿滔,庄松林.掺杂型锰氧化物La1-xSrxMnO3的电子结构研究[J].上海理工大学学报,2008,(2):103-106.

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  • 最后修改日期:2007-01-23
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